A1/α-Si复合膜中非晶硅晶化研究 (1991年)

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文件名称：A1/α-Si复合膜中非晶硅晶化研究 (1991年)
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更新时间：2021-04-24 14:50:06
自然科学 论文 研究了A1/α-Si复合膜中非晶硅的晶化问题．α-Si膜在与A1相接触条件下，其晶化温度下降，在350℃下退火几分钟，产生晶化转变．而单独的α-Si膜的晶化温度是700℃．