a-Si：H薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜 (2002年)

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文件名称：a-Si：H薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜 (2002年)

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更新时间：2024-06-05 11:36:36

自然科学 论文

利用固相晶化法获得多晶硅薄膜（退火温度700～800℃），采用XRD、Raman等分析手段进行了表征与分析，研究结果表明：晶粒平均尺寸随着退火温度的降低、掺杂浓度的减少、薄膜厚度的增加而增加；并且退火后薄膜暗电导率提高了2-4个数量级．