非晶硅低温退火固相晶化的研究 (1993年)

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文件名称：非晶硅低温退火固相晶化的研究 (1993年)
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更新时间：2021-04-24 14:52:30
自然科学 论文 从PECVD法制取的n+与n/n+两种结构的a-Si：H试样，采用低温退火固相晶化工艺，得到了满足器件质量要求的大晶粒多晶硅膜。测试结果证实：在N2气氛下，经6-10h的600℃(或800℃)温度的退火后，两种a-Si：H膜均已明显地晶化。测得了晶化膜的粒径＞1μm，暗电导率、光电导率均比退火前增加了3个数量级，迁移率则增加了10-80倍。