对称薄膜双栅MOSFET温度特性的研究 (2012年)

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文件名称：对称薄膜双栅MOSFET温度特性的研究 (2012年)

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更新时间：2024-06-11 19:52:35

自然科学 论文

文章对薄膜双栅MOSFET器件的温度特性进行了研究。首先对其进行理论分析，得到亚阈值电流、阈值电压和饱和电流等随温度的变化关系，并计算出理论结果，再用Medici模拟仿真加以验证，比较了不同温度下的输出特性、饱和漏电流、阈值电压与温度变化的关系，验证结果表明两者是一致的。