前端反接保护:实用方案解析与探讨-PMOS/NMOS方案

时间:2024-10-09 12:17:34

在大功率场合的应用中,考虑到MOS管的RDS(on)只有毫欧级别的电阻,相对于二极管的VF电压会好很多。

1)PMOS方案工作原理

上电时,通过内部的寄生二极管,Vgs电压大于Vth电压,PMOS管完全导通。

调整R1与R2的比值,使Vgs的电压尽量高,RDS(on)就会更小。

稳压二极管D1作为保护电路,用于避免Vgs超过其击穿电压。

2)NMOS方案工作原理

上电时,通过内部的寄生二极管,Vgs电压大于Vth电压,NMOS管完全导通。

调整R1与R2的比值,使Vgs的电压尽量高,RDS(on)就会更小。

无论是PMOS还是NMOS,都会添加稳压二极管与电阻作为保护电路,但是流过稳压二极管会有漏电流,这会增加整个系统的静态电流Iq,在汽车应用中受到一定的限制。

一些原始设备制造商规定,车辆停放时,其电子控制单元(ECU)的总电流消耗应保持在以下水平:在12V电池供电系统中不超过100µA,而在24V电池供电系统中则不超过500µA