文件名称：部分重叠双栅MOSFET特性的研究 (2012年)
文件大小：1.21MB
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更新时间：2024-05-27 08:03:05
自然科学 论文
研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件对该结构进行仿真.通过仿真可知:部分重叠双栅MOSFET器件通过沟道电场的调节,可降低短沟效应和等效栅电容、提高击穿电压,跨导可由栅压调节,阂值电压随沟道缩短而下降的变化率在文中讨论的3种结构中最小.