文件名称：应变 Si P MOSFET电流特性研究
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更新时间：2017-04-13 04:08:15
应变 Si
生长在弛豫 S i Ge层上的 S i产生张应变,使载流子的迁移率显著提高, 因此应变 S i P MOS TET可以得到非常好的性 能。在讨论分析了应变 S i PMOSFET的结构特性和器件物理的基础上, 推导泊松方程求出解析的阈值电压模型, 以及电流电 压特性, 和跨导等电学特性参数模型,并用 MATLAB进行了模拟,与参考文献取得了一致的结果。此模型作为对 PMOSFET进 行模拟是非常有用的工具。