文件名称：论文研究-应变SiGe SOI p-MOSFET温度特性研究 .pdf
文件大小：339KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-03 11:06:55
自加热效应
应变SiGe SOI p-MOSFET温度特性研究，高勇，刘静，SiGe SOI p-MOSFET在高频、高速、低功耗、抗辐射方面具有极大的优势。但二氧化硅埋层较低的热导率以及SiGe材料较低的热稳定性，使得器件
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自加热效应
应变SiGe SOI p-MOSFET温度特性研究，高勇，刘静，SiGe SOI p-MOSFET在高频、高速、低功耗、抗辐射方面具有极大的优势。但二氧化硅埋层较低的热导率以及SiGe材料较低的热稳定性，使得器件