文件名称：应变SiGe沟道PMOSFET亚阈值特性模拟 (2005年)
文件大小：409KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-06-04 01:13:28
工程技术 论文
通过简化的模型，对应变SiGe沟道PMOSFET及Si PMOSFET的亚阈值特性作出了简单的理论分析，然后用二维模拟器Medici进行了模拟和对比；研究了截止电流和亚阈值斜率随SiGe PMOSFET垂直结构参数的变化关系。模拟结果同理论分析符合一致，表明应变SiGe沟道PMOSFET的亚阈值特性比Si PMOSFET更差，并且对垂直结构参数敏感，在器件设计时值得关注。