深亚微米槽栅PMOSFET特性研究 (2003年)

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文件名称：深亚微米槽栅PMOSFET特性研究 (2003年)

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更新时间：2024-05-30 04:09:46

工程技术 论文

基于流体动力学能量输运理论，对槽栅PMOSFET器件的端口特性进行了仿真研究，包括栅极特性、漏极驱动能力和抗热载流子性能等。仿真结果表明，与平面器件相比，槽栅结构很好地抑制了短沟道效应和漏感应势垒降低效应，并具有较好的抗热载流子性能，但其漏极驱动能力低于平面器件，并从内部物理机制上解释了上述区别。