【文件属性】:
文件名称:超深亚微米结构的实现
文件大小:5.44MB
文件格式:NH
更新时间:2012-05-20 03:35:51
超深亚微米结构
现在 ,超大规模集成 (VLSI )电路技术的快速发展 ,要求器件的尺寸随之缩小 ,通常所用的缩比理论
有准恒定电压理论 ( quasi - constant voltage theory, QCVT)和恒定电压理论 ( constant voltage theory,
CVT)。根据这一理论 ,在缩小后的 MOSFET的沟道中将会产生很强的电场 ,从而很容易击穿栅介质。
在实际应用当中 ,器件的稳定性是衡量器件性能的一个重要指标 ,所以本文就超深亚微米 n -沟道 Si -
MOSFET的栅介质击穿特性[ 1 ]
及相关参数进行分析 ,为今后有效应用小尺寸 MOSFET奠定基础。
网友评论
- 看简介应该很有用,但不知道为什么下载后格式变成了。php,到现在还不知道怎么打开