文件名称：论文研究-增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究 .pdf
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更新时间：2022-09-10 01:30:28
氮化镓
增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究，周桂林，张金城，采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术，制备了增强型Si衬底SiO2 /GaN MOS栅场效应晶体管（MOSFET）。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压�
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