论文研究-界面陷阱电荷对高κ叠栅介质电学特性的影响 .pdf

时间:2022-09-06 17:17:26
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更新时间:2022-09-06 17:17:26

高κ材料; ALD工艺; 电特性; 界面陷阱电荷

界面陷阱电荷对高κ叠栅介质电学特性的影响,刘红侠,张言雷,本文详细讨论了采用原子层淀积技术(ALD)生长的薄膜中界面陷阱电荷对于高k叠栅HfO2/SiO2结构电学特性的影响,通过实验定量分析了界��


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