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文件名称：论文研究-界面陷阱电荷对高κ叠栅介质电学特性的影响 .pdf
文件大小：411KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-06 17:17:26
高κ材料; ALD工艺; 电特性; 界面陷阱电荷
界面陷阱电荷对高κ叠栅介质电学特性的影响，刘红侠，张言雷，本文详细讨论了采用原子层淀积技术（ALD）生长的薄膜中界面陷阱电荷对于高k叠栅HfO2/SiO2结构电学特性的影响，通过实验定量分析了界��