文件名称：第一性原理计算Ga,O掺杂Ge材料的电子结构 (2013年)
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更新时间：2024-05-31 13:39:31
自然科学 论文
利用第一性原理模拟计算了Ga掺杂Ge及Ga、O共掺杂Ge材料的电子结构,对态密度、能带结构进行了分析.结果表明,Ga掺杂Ge材料会使掺杂体系表现为较强的金属性;Ga、O共掺杂会使掺杂体系在低能端出现新的态密度为零区域.通过掺杂能够改变Ge材料的电学争光学特性.
第一性原理计算Ga,O掺杂Ge材料的电子结构 (2013年)
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