Be、Mg掺杂AlN电子结构的第一性原理计算 (2012年)

时间:2021-05-07 18:10:46
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文件名称:Be、Mg掺杂AlN电子结构的第一性原理计算 (2012年)
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更新时间:2021-05-07 18:10:46
自然科学 论文 基于密度泛函理论(Density Functional Theory) 框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算分析了纤锌矿结构的AlN晶体和Be、Mg掺杂AlN晶体的晶格参数、结合能、能带结构、总体态密度、分波态密度、差分电荷分布及电荷集居数.计算结果表明: Be和Mg都是良好的p型掺杂剂,但是Be掺杂AlN晶体比Mg提供的空穴更多,Be比Mg更有利于AlN晶体的p型掺杂.

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