文件名称：从第一性原理比较掺杂锌的AlN和GaN中的磁性
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更新时间：2024-06-07 14:53:20
研究论文
第一性原理计算已用于比较研究掺杂锌的AlN和GaN的电子和磁性。 在AlN中发现了由Zn引起的1.0μ（B）的总磁矩，但在GaN中却没有。 分析表明，自发极化的起源不仅取决于氮的局部原子轨道和足够的空穴浓度，还取决于基体共价的相对强度。 GaN相对于AlN的较强共价特性阻碍了GaN基体中局部磁矩的形成。 我们的研究为d（0）磁场中的自旋极化提供了新的视角。 AlN c平面中强得多的铁磁耦合意味着通过单层δ掺杂实现远距离铁磁有序是可行的。 这可以适用于纤锌矿结构的其他宽带隙半导体。