文件名称：N掺杂p-型ZnSe电子结构的第一性原理计算 (2009年)
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更新时间：2024-07-05 01:51:07
自然科学 论文
采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理全电子势线性缀加平面波方法（FPLAPW），对N掺杂ZnSe晶体的几何结构进行了优化，从理论上给出了N掺杂ZnSe晶体结构参数并对中心Zn原子近邻和次近邻位N掺杂前后总态密度及分态密度进行了对比分析，讨论了不同Se位N掺杂对ZnSe晶体性能的影响，在次近邻掺杂中，晶体表现出更为优良的半导体性质。