Ga掺杂ZnO电子结构和吸收光谱的第一性原理研究 (2010年)

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文件名称：Ga掺杂ZnO电子结构和吸收光谱的第一性原理研究 (2010年)
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更新时间：2021-05-07 18:02:21
自然科学 论文 采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究了纤锌矿ZnO掺杂Ga前后的电子结构和光学性质.计算结果表明,ZnO中引入杂质Ga后,导带底主要由Ga4s态和Zn4s态构成,并且Ga4s态跨过费米能级,形成n型半导体.计算得到电子浓度为2.42×10^21cm^-3,掺Ga有效提高了ZnO的栽流子浓度.同时ZnO掺Ga后,ZnO的光学带隙从3.47eV展宽为4.25eV,并且在可见光区几乎无吸收,是理想的透明导电材料.