文件名称：A1,Ga掺杂ZnO电子结构和光电特性的第一性原理计算 (2011年)
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更新时间：2024-05-31 13:36:41
自然科学 论文
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,计算了本征ZnO,A1掺杂ZnO(ZnAlO)和Ga掺杂ZnO(ZnGa0)的能带结构、态密度、复介电函数和复电导率.其中A1或Ga是以替住杂质的形式进入Zn0晶格.计算结果表明纤锌矿型Zn0,ZnAlO和ZnGa0都是直接带隙半导体材料,掺杂后Zn0的带隙变小,且ZnAl0的带隙略大于ZnGa0.掺杂后Zn0的电子结构发生变化,费米能级由本征态时位于价带顶上移进入导带,ZnO表现为n型掺杂半导体材料,掺杂后在导带底出现