A1,Ga掺杂ZnO电子结构和光电特性的第一性原理计算 (2011年)

【文件属性】：
文件名称：A1,Ga掺杂ZnO电子结构和光电特性的第一性原理计算 (2011年)
文件大小：432KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-11 19:50:01
自然科学 论文 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,计算了本征ZnO,A1掺杂ZnO(ZnAlO)和Ga掺杂ZnO(ZnGa0)的能带结构、态密度、复介电函数和复电导率.其中A1或Ga是以替住杂质的形式进入Zn0晶格.计算结果表明纤锌矿型Zn0,ZnAlO和ZnGa0都是直接带隙半导体材料,掺杂后Zn0的带隙变小,且ZnAl0的带隙略大于ZnGa0.掺杂后Zn0的电子结构发生变化,费米能级由本征态时位于价带顶上移进入导带,ZnO表现为n型掺杂半导体材料,掺杂后在导带底出现