文件名称：退火温度对用PIII方法制备共掺杂p型ZnO薄膜结构和性能的影响 (2011年)
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更新时间：2024-07-04 02:48:12
自然科学 论文
采用射频磁控共溅射的方法制备出ZnO: Al薄膜,以NO和O2为源气体(V( O2 ) /V( O2 + NO) = 75%),采用等离子体浸没离子注入(PIII)方法对薄膜进行注入得到ZnO: Al: N薄膜,注入剂量为2.23×1015 cm-2,并在N2氛围下对样品进行了不同温度的退火处理。通过XRD图谱、霍尔效应(Hall)测试结果、紫外可见光透射光谱等对样品的结构和性能进行了分析,着重研究了退火温度对ZnO: Al:N薄膜性质的影响。结果表明,退火可以使注入产生的ZnO( N2)3团簇分解,并且