退火温度对ZnO薄膜性能的影响 (2009年)

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文件名称：退火温度对ZnO薄膜性能的影响 (2009年)
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更新时间：2021-05-11 04:03:48
自然科学 论文 采用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有(002)择优取向 ZnO薄膜.利用 X射线衍射分析( XRD)、原子力显微镜( AFM)、双光束紫外可见分光光度计等仪器分析了退火温度对 ZnO薄膜的结构、应力状态、表面形貌和光学性能的影响.结果表明,在射频功率为 100W时所制备的ZnO薄膜,当退火温度为 600℃时,能获得最佳 c轴取向和最小半高宽,此时 ZnO薄膜具有较低的表面粗糙度和较高的透射率.