文件名称：退火温度对ZnO薄膜结构和内应变的影响 (2011年)
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更新时间：2024-06-11 18:02:37
自然科学 论文
采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积技术(pulsed filtered cathodic vacuum are dleposition，PFCVAD)，以Si(100)单晶片为衬底，在衬底温度400℃、氧气压力4×10-2Pa、靶负压400 V的条件下制备了具有c轴取向的ZnO薄膜。采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRI))研究了退火温度对ZnO薄膜结构和内应变的影响。研究结果表明：由于薄膜制备过程中的“atom peening”机制导致大量的原子被束缚于非平衡位置，未退火的ZnO薄膜呈压应力；薄膜压