文件名称：退火温度对同质缓冲层ZnO薄膜微观结构和光学特性的影响 (2012年)
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更新时间：2024-05-15 03:09:46
自然科学 论文
采用射频磁控溅射法在300℃真空退火处理过的同质缓冲层上制备了不同退火温度下的ZnO薄膜.使用X射线衍射仪(XRD)和光致发光(PL)等表征技术,研究了ZnO薄膜的微观结构和发光特性.结果表明:在6min缓冲层上制备的ZnO薄膜有较好的结晶质量,并且在适当的退火温度下薄膜的结晶质量进一步提高.薄膜在可见光范围内的平均透过率均超过90%,光学带隙值随退火温度的增加由3.221 eV减小为3.184 eV .在光致发光谱(PL)中观测到了5个主要的发光峰位,分别是紫外光(384 nm)、紫光(420 nm)、