文件名称：退火温度对未掺杂ZnO薄膜的结构、电学和光学性质的影响 (2007年)
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更新时间：2024-05-27 06:27:24
自然科学 论文
本工作利用磁控溅射技术在石英衬底上生长出沿c轴择优取向的未掺杂ZnO薄膜，利用X射线衍射，光致发光，X射线光电子谱和Hall效应测量技术，研究了退火温度对结构、电学和光学性质的影响.发现真空退火可以提高ZnO的晶体和光学质量.生长的ZnO薄膜呈绝缘性质，经真空退火后变成导体，且导电类型和电性随退火温度而改变，并经590 ℃退火后获得p型ZnO.本文对退火影响ZnO结构、电学和光学性能的物理机制进行了讨论.