退火温度对Al掺杂ZnO薄膜结构和性能的影响 (2011年)

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文件名称：退火温度对Al掺杂ZnO薄膜结构和性能的影响 (2011年)

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更新时间：2024-06-06 07:09:50

工程技术 论文

采用直流磁控溅射技术，在玻璃衬底上制备了ZnO：Al（ZAO）薄膜样品。其他参数不变，在不同的温度下对样品进行了退火处理，研究了薄膜的结构性质、电学和光学性质随退火温度的变化关系。实验结果表明：在退火温度为200℃时，ZAO薄膜具有较优的光电性能，其电阻率为9.62×10-5。cm，可见光区平均透射率为89.2%。