C掺杂浓度对ZnO薄膜电学和结构的影响。 (2014年)

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文件名称：C掺杂浓度对ZnO薄膜电学和结构的影响。 (2014年)
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更新时间：2021-05-18 08:02:19
工程技术 论文 采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上成功制备了不同C掺杂浓度的ZnO：C薄膜，借助于X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试(Hall)、X射线光电子谱(XPS)和拉曼散射光谱(Raman)等测试手段系统研究了ZnO薄膜的结构、电学以及拉曼特性并分析了C在 ZnO薄膜中存在形式。结果表明，所有薄膜都呈纤锌矿结构并具有高度的C轴择优取向。随着C掺杂浓度的增加，薄膜的n型导电性能不断增强，其主要原因是 ZnO薄膜中的C替代Zn位起施主作用。