文件名称：退火对N-In共掺杂p型ZnO薄膜结构和光电性质的影响 (2008年)
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更新时间：2024-06-03 16:12:01
自然科学 论文
利用射频磁控溅射结合离子注入的方法在石英玻璃衬底上成功地实现了 ZnO薄膜的 N-In共掺杂,借助于XRD、霍耳测试、透射谱测试等手段分析了不同退火条件下对 ZnO薄膜的结构及光电性质的影响。实验结果表明,在氮气环境下,退火温度介于550～600℃,退火时间控制在5～10 min内,可以获得较稳定的p型 ZnO薄膜。其中,经过580℃退火20 min的 ZnO薄膜具有最佳的电学特性,即空穴浓度达到1.22×10 18 cm - 3 ,迁移率为2.19 cm 2 V - 1 s -