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文件名称：制备参数对TbFeCo磁光薄膜性能的影响 (2011年)
文件大小：1.07MB
文件格式：PDF
更新时间：2021-06-13 04:59:26
自然科学 论文
对采用磁控溅射制备 TbFeCo/Si、A g/TbFeCo/Si系列薄膜的溅射工艺进行了研究,分析了 TbFeCo薄膜的生长机理,并对其光学性质、磁性质和磁光性质进行了分析。实验结果表 明,不同压强对 TbFeCo薄膜的成分比有明显的影响,确定了工作压强为2.0 Pa是适合的,这时 制备的薄膜的成分原子比和靶的原子比最接近。用全自动椭圆偏振光谱仪测量了 TbFeCo薄膜 在1.5～4.5 eV的椭偏光谱,结果表明,随着工作气压、溅射功率和 Ar气流量的变化,薄膜的光 学性质均发生明显变化。对制备的 Ag