文件名称：厚度对电子束蒸发制备IMO薄膜性能的影响 (2010年)
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更新时间：2024-06-12 04:30:32
自然科学 论文
通过电子束蒸发法制备In203：Mo（IMO）薄膜，详细研究了厚度对薄膜光电性能的影响。当薄膜厚度为d=35nm时，XRD谱与SEM图像均证明薄膜基本上处于非晶态（存在少许纳米晶粒），其光学特性优良而电学特性较差；随着薄膜厚度增加，薄膜的晶体结构变得较完善，晶粒增大，薄膜电学性能取得到了改善，在薄膜厚度d=150nm时获得最小电阻率～2.1×10-4Qcm，而光学特性有所恶化。通过性能指数西比较，d=110nm厚度的IMO薄膜光电性能较好。