文件名称：温度条件对反应电子束蒸发制备Ti02薄膜结构和性能的影响 (2004年)
文件大小：267KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-06-03 16:13:23
工程技术 论文
研究基片温度(120-300C)和热处理温度(400C)对电子束蒸发Ti02薄膜的结构和光学性能的影响。XRD分析表明,在120C ,200 C和300 C的普通玻璃基片上采用电子枪加热蒸发制备的TiO2薄膜具有非晶态结构,沉积态薄膜经过400 C保温1h的热处理后得到的相为具有(004)取向的锐钛矿相,晶粒大小在3. 6-8. 1 nm之间。透射谱分析表明,薄膜的折射率随着基片温度的升高而增加；热处理后,薄膜的折射率也相应提高,其原因来自于薄膜的晶化。