基底温度对电子束蒸发制备氧化铝薄膜的影响 (2013年)

时间:2024-06-11 17:48:25
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文件名称:基底温度对电子束蒸发制备氧化铝薄膜的影响 (2013年)

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更新时间:2024-06-11 17:48:25

工程技术 论文

为了考察基底温度对氧化铭薄膜折射率以及沉积厚度的影响情况,在不同基底温度环境下,通过离子辅助电子束蒸发方式,在玻璃基底上制备了同一Tooling因子条件下所监测到相同厚度的Al2O3薄膜,利用分光光度计测量光谱透过率,依据光学薄膜相关理论,计算了基底温度在25℃~300℃范围内获得的膜层实际物理厚度为275.611nm~348.447nm,以及膜层折射率的变化。通过对实验结果的数值计算和曲线模拟,给出了基底温度对于薄膜的折射率和实际厚度的影响情况。


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