衬底温度对CdTe/ZnTe多层薄膜制备的影响 (2012年)

时间:2024-06-05 15:41:54
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文件名称:衬底温度对CdTe/ZnTe多层薄膜制备的影响 (2012年)

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更新时间:2024-06-05 15:41:54

自然科学 论文

采用射频磁控溅射法制备了CdTe/ZnTe多层薄膜,并在制备单层CdTe薄膜和 znTe薄膜的基础上,研究了衬底温度对CdTe/ZnTe多层薄膜性质的影响;通过XRD和透过谱、吸收谱的分析,对其结构进行了研究.结果表明在185℃下制备的CdTe/ZnTe多层膜中, CdTe和ZnTe均沿(111)晶面择优取向生长,尤其是ZnTe沿(111)晶面择优取向明显,衍射强度极大.通过比较不同衬底温度,发现l85℃生长的样品衍射峰强度最高,成膜质量较好;通过吸收谱图分析,185℃下沉积的样品对光有较好的吸收性.


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