基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响 (2004年)

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文件名称:基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响 (2004年)

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更新时间:2024-06-15 15:03:23

自然科学 论文

利用射频磁控溅射方法,真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体,在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜。在超高真空(<10-7Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大影响。基底温度为500℃时沉积的BN薄膜样品场发射特性要好于其他薄膜,阈值电场为12V/μm,电场升到34V/μm,场发射电流为280μA/cm2。所有样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均近似为直线,表明电子是通过隧道效应穿透BN


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