基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响 (2004年)

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文件名称：基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响 (2004年)
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更新时间：2021-05-26 21:16:43
自然科学 论文 利用射频磁控溅射方法，真空室中充入高纯N2（99.99%）和高纯Ar（99.99%）的混合气体，在n型（100）Si基底上沉积了六角氮化硼（h-BN）薄膜。在超高真空（<10-7Pa）系统中测量了BN薄膜的场发射特性，发现沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大影响。基底温度为500℃时沉积的BN薄膜样品场发射特性要好于其他薄膜，阈值电场为12V/μm，电场升到34V/μm，场发射电流为280μA/cm2。所有样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均近似为直线，表明电子是通过隧道效应穿透BN