基底偏压对氮化硼薄膜场发射特性的影响 (2005年)

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文件名称：基底偏压对氮化硼薄膜场发射特性的影响 (2005年)
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更新时间：2021-05-15 08:05:23
自然科学 论文 利用射频磁控溅射方法，在n型（100)si（0.008～0.02Ω·m)基底上沉积了氮化硼（BN)薄膜。红外光谱分析表明，BN薄膜结构均为六角BN（h-BN)相。在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性，发现BN薄膜的场发射特性与基底偏压关系很大，阈值电场随基底偏压的增加先增加后减小。基底偏压为一140V时BN薄膜样品场发射特性要好于其他样品，阈值电场低于8V/μm。F～N曲线表明，在外加电场的作用下，电子隧穿BN薄膜表面势垒发射到真空。