负偏压对反应磁控溅射AlN薄膜的影响 (2011年)

时间:2024-05-12 21:27:08
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文件名称:负偏压对反应磁控溅射AlN薄膜的影响 (2011年)

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更新时间:2024-05-12 21:27:08

自然科学 论文

利用反应磁控溅射制备AIN薄膜,研究了基底负偏压对薄膜结构及其性能的影响.XRD和SEM结果表明:用此方法获得的A1N薄膜呈晶态,负偏压对A1N择优取向产生一定的影响,随着偏压的增大,薄膜表面晶粒尺寸有长大趋势.根据透射谱测试和包络线计算结果可知,薄膜在可见光和红外区域透射率高,随着偏压的增大,薄膜的折射率也随之增大.


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