文件名称：功率对射频磁控溅射生长ZnO薄膜性能的影响
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更新时间：2024-05-20 07:29:36
ZnO; Power; Magnetron sputtering
通过使用不同溅射功率的射频（RF）磁控溅射技术，在石英衬底上生长了氧化锌（ZnO）薄膜，该技术将其功率从10 W调整到200W。发现溅射功率起着重要的作用。在电影的成长过程中。 检查了结晶度，吸收和光致发光（PL）的特征。 此外，还通过使用原子力显微镜（AFM）观察了膜的表面形态。 在生长过程中增加功率后，以150 W的RF功率沉积的薄膜显示出最佳的晶体质量和光学性能。 150 W的拐点是可以检测到的。 据估计，这种趋势是由于由增大功率引起的从ZnO靶溅射出的颗粒的增强而引起的。 这些结果证明存在用于溅射技术的最佳功率操作窗口。 对此的物理机制已通过简单的定性模型和动力学方程式进行了解释。 由Elsevier BV发布