文件名称：溅射气压对ZnO薄膜生长、发光性能和结构的影响 (2009年)
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更新时间：2024-06-10 11:11:35
工程技术 论文
沉积缺陷少、晶粒高度c轴择优生长的ZnO薄膜是制备短波发光器件和压电谐振传感 器的关键问题之一。以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备纳米ZnO薄膜,实 现了室温下强的紫外受激发射和弱的深能级发射。通过对薄膜表面形貌的观测,以及对X射 线衍射( XRD)谱和室温光致发光( PL)谱的分析,研究了不同溅射气压对ZnO薄膜生长、结构和 发光性能的影响。结果显示溅射气压在1.9 Pa-3.5 Pa之间,晶粒直径先增大后减小,在2.6 Pa时晶粒生长到最大;在3.2 Pa时薄膜单一取向性最优,以此推断