溅射气压对ZnO透明导电薄膜光电性能的影响 (2009年)

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文件名称：溅射气压对ZnO透明导电薄膜光电性能的影响 (2009年)
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更新时间：2021-05-10 09:14:53
工程技术 论文 采用射频磁控溅射方法，在普通玻璃上制备了具有高度c轴取向的ZnO薄膜，研究了溅射气压（0.2～1.5Pa）对ZnO薄膜的微观结构和光电性能的影响。AFM、XRD、UV-Vis分光光度计及四探针法研究表明：随着溅射气压的增大，ZnO薄膜沿c轴方向的结晶质量提高，晶粒细化，薄膜表面更加致密，晶粒大小更加均匀；ZnO薄膜在400～900nm范围内的平均透过率均高于85%，其中在0.5～1.5Pa范围内其透过率高于90%；样品在高纯氮气气氛中经350℃，300s退火后，电阻率最低达到10?2Ω?cm量级。