文件名称：射频溅射功率密度对Ga：ZnO透明导电薄膜性能的影响 (2010年)
文件大小：317KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-05-26 21:07:24
工程技术 论文
室温下利用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了掺Ga氧化锌(Ga：ZnO)多晶透明导电薄膜．通过改变磁控溅射生长过程中的溅射功率密度和靶基距，研究了多晶薄膜的透明导电性能与生长参数的相互影响关系．研究结果表明：当溅射时间相同时，随溅射功率密度的增加和靶基距的减小， Ga：Zn0薄膜的厚度增加，从而导致了薄膜导电率升高；当溅射功率密度为5．3 w／cm2、靶基距为5 cm时，Ga：ZnO薄膜的最小电阻率达到3．1×10-4Ω・cm．透光率测试结果表明：当溅射功率密度增加时，Ga：ZnO薄膜中紫外光学吸收发生