文件名称：Sn/Cu接头界面金属间化合物层的生长及强磁场的影响 (2008年)
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更新时间：2024-05-31 22:12:38
工程技术 论文
钎焊和扩散焊制备的Sn/Cu接头在无磁场下不同温度时效,研究接头界面处金属间化合物(IMC)层的生长行为。结果表明:两种接头界面IMC层在时效初始时刻的横截面和形貌均不同,在时效过程中的生长行为类似,钎焊和扩散焊接头界面IMC层的生长激活能分别为116和94kJ/mol。为研究强磁场对界面IMC层生长行为的影响,两种试样在190℃、磁场强度为8T时效。实验结果表明:两种接头界面IMC层的生长动力学相同,但晶粒形貌和晶体取向差别明显。