文件名称：氮化硅薄膜的快速热处理在太阳电池中的应用 (2008年)
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更新时间：2024-06-01 20:59:07
自然科学 论文
研究了低温等离子体增强化学气相沉积（PECVD）氮化硅（SiNx）薄膜的快速热处理，发现一种能使硅片少子寿命（r）显著提高的快速热退火工艺并对其机理和应用方法进行初步讨论。硅片在700℃、1s的快速热处理下，r提高200%左右，用PCID――太阳电池模拟软件知其可带来0.54%的效率提高。同样的实验在已经扩磷的硅片上进行，少子寿命亦只提高55%。把上述研究和最新的激光烧穿接触工艺用于太阳电池，可使太阳电池效率有一定提高。