文件名称:PECVD沉积氮化硅薄膜应用研究.pdf
文件大小:91KB
文件格式:PDF
更新时间:2022-09-25 10:39:49
LabVIEW
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN
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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN