PECVD氮化硅薄膜工艺参数研究 (2011年)

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文件名称：PECVD氮化硅薄膜工艺参数研究 (2011年)
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更新时间：2021-05-18 03:15:25
自然科学 论文 根据太阳电池组件的结构和封装材料特性,设计出硅太阳电池片减反射薄膜的最佳厚度和折射率,利用泰勒公式进行优化PECVD制备氮化硅薄膜的工艺参数。通过实验,找出适合中电48所工业生产用管式PECVD制备氮化硅薄膜的工艺参数。