文件名称：PECVD法在聚酰亚胺上沉积氮化硅薄膜的工艺研究 (2005年)
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更新时间：2024-07-05 08:13:18
自然科学 论文
采用了等离子体增强化学气相沉积法（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）在聚酰亚胺（Polyimide，PI）牺牲层上生长氮化硅薄膜；利用微旋转结构测量氮化硅薄膜的残余应力；讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的残余应力的影响，并把薄膜的残余应力分为热应力和本征应力加以分析，得出适合制作射频MEMS开关器件中的桥式梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。