Ni增强Er在富硅氮化硅薄膜中的光致发光 (2010年)

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文件名称：Ni增强Er在富硅氮化硅薄膜中的光致发光 (2010年)
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更新时间：2021-05-15 20:11:13
自然科学 论文 采用反应磁控溅射技术沉积了掺Er的富硅氮化硅（SRN：Er）薄膜和SRN：Er/Ni3个周期的超晶格，两种薄膜都在1100℃进行退火实验。SRN：Er薄膜的光致发光谱为一个峰位在665-750nm的发光带和一个峰位在1.54μm的发光带，前者来源于SRN薄膜中的纳米硅，后者为Er3+的特征发射。SRN：Er/Ni超晶格的光致发光谱上出现Er3+在520，550和850nm附近的精细结构，并且Er3+在1.54μm的发光有12倍的增强。光谱精细结构的出现证明Er3+的微观环境由于掺Ni而变得有序。与在SRN