含纳米硅粒SiO2薄膜的光致发光 (2006年)

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文件名称：含纳米硅粒SiO2薄膜的光致发光 (2006年)

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更新时间：2024-07-02 00:14:07

自然科学 论文

采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜。通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制，并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅。利用xRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径；对样品测量光致发光谱，其发光峰分别位于361nm和430nm，比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移。文中对发光机理进行初步讨论。