含纳米硅的Si02薄膜电致发光的数值分析 (2005年)

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文件名称：含纳米硅的Si02薄膜电致发光的数值分析 (2005年)

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更新时间：2024-06-16 04:38:01

自然科学 论文

考虑到薄膜中存在的缺陷对发光的影响，采用位形坐标为理论模型，对用射频溅射法制备的具有Au/（Si/SiO2）/p-Si结构样品的电致发光谱进行了数值分析。数值结果表明，在SiO2薄膜中存在2个缺陷中心，电子和空穴就是通过这些缺陷中心复合而发光。这一结论与实验符合得很好，并与量子限制效应一复合中心发光的理论结果相一致。