ECR-PECVD制备纳米硅颗粒薄膜 (2011年)

【文件属性】：
文件名称：ECR-PECVD制备纳米硅颗粒薄膜 (2011年)
文件大小：3.47MB
文件格式：PDF
更新时间：2021-06-13 21:58:22
工程技术 论文 为消除紫外线对硅基薄膜太阳能电池的热损害,并进一步提高电池转换效率,提出在硅基薄膜太阳能电池顶部低温下制备一薄层纳米硅薄膜.在P型(100)硅片上采用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD) 技术交替沉积SiO2 /Si/SiO2层,改变衬底温度和H2流量沉积纳米硅薄膜,探讨低温下直接制备纳米硅薄膜的工艺.实验结果表明,在低温下,薄膜以非晶相为主,局部分布有零星的网格状晶化相,随着温度的升高,晶化趋势增加,晶化相颗粒大小在5～8nm;当H2流量在20～40 mL/min变化时,随着流