ECR-PECVD制备纳米硅颗粒薄膜 (2011年)

时间:2024-07-03 15:45:02
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文件名称:ECR-PECVD制备纳米硅颗粒薄膜 (2011年)

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更新时间:2024-07-03 15:45:02

工程技术 论文

为消除紫外线对硅基薄膜太阳能电池的热损害,并进一步提高电池转换效率,提出在硅基薄膜太阳能电池顶部低温下制备一薄层纳米硅薄膜.在P型(100)硅片上采用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD) 技术交替沉积SiO2 /Si/SiO2层,改变衬底温度和H2流量沉积纳米硅薄膜,探讨低温下直接制备纳米硅薄膜的工艺.实验结果表明,在低温下,薄膜以非晶相为主,局部分布有零星的网格状晶化相,随着温度的升高,晶化趋势增加,晶化相颗粒大小在5~8nm;当H2流量在20~40 mL/min变化时,随着流


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