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前面一直说到综合库/工艺库这些东西，现在就来讲讲讲综合库里面有什么东西，同时也讲讲synopsys的Design Ware库。主要内容分为三个部分：标准单元库、DC的设计对象、Design Ware库。
（1）标准单元库
绝大多数的数字设计流程都是基于标准单元的半定制设计流程。标准单元库包含了反相器、缓冲、与非、或非、与或非、锁存器、触发器等等逻辑单元综合模型的物理信息，标准单元是完成通用功能的逻辑，具有同等的高度（宽度可以不同），这样方便了数字后端的自动布局布线。
①概述
一个ASIC综合库包括如下信息：
·一系列单元（包括单元的引脚）。
·每个单元的面积（在深亚微米中，一般用平方微米表示，在亚微米工艺下，一般用门来称呼，至于具体的单位，可以咨询半导*造商）。
·每个输出引脚的逻辑功能。
·每个输入到输出的传递延时，输出到输出的传递延时；inout到输出的传递延时。
②内容与结构
Synopsys的工艺库是一个.lib文件，经过LC编译后，产生.db文件。工艺库文件主要包括如下信息:
·单元（cell）（的信息）：（主要有）功能、时间（包括时序器件的约束，如建立和保持）、面积（面积的单位不在里面定义，可按照规律理解，一般询问半导体厂商）、功耗、测试等。
·连线负载模型（wire load models）：电阻、电容、面积。
·工作环境/条件（Operating conditions）:制程（process）（电压和温度的比例因数k，表示不同的环境之间，各参数缩放的比例）
·设计规则约束（Design ）:最大最小电容、最大最小转换时间、最大最小扇出。
工艺库的结构如下所示：
文本描述如下所示：
我使用的TSMC90nm的工艺库，我用slow.lib这个库来给大家介绍：
这个库总共三万多行，不可能每一行都解说，因此我按照结构进行介绍。
打开这个.lib文件，可以看到最前面：
最前面的是这些注释，描述的是：制程（是慢的模型）、电压、温度等数据信息。
接下来才是真正的库的信息：
库组（大结构）：
Library（library_name）{
......
......
}
A首先是库的属性的描述：
下面是这张图的解释：
·通用属性描述（general attribute）：
主要是工艺类型、延迟模型、替代交换方式、库特征、总线命名方式等信息
工艺类型：这个库没有给出，主要用来说明这个库是CMOS工艺还是FPGA工艺。默认是CMOS工艺。
延迟模型：指明在计算延迟时用的那个模型，主要有generic_cmos(默认值)、table-lookup(非线性模型)、piecewise-cmos(optional)、dcm(Delay Calculation Module)、polynomial。这个库使用的非线性模型。
替代交换方式：这里选的是匹配封装的方式。具体的信息可以查阅其他治疗或者询问半导体厂商。
库特征：报告延迟计算，也就是这个库具有延迟计算的特征。
总线命名方式：定义库中总线命名规则。例如：bus_naming_style:"Bus%spin%d";这个库没有进行总线规则的命名。
·库的文档资料属性（document attribute）：
主要是库的版本、库的日期、还有注释。例如：
用库报告命令report_lib可显示日期例如：Date:"Wed Jun 22 12:31:54 2005"。
修正版属性定义库的版本号码，例如Revision:1.3;
注释属性用于报告report_lib命令所显示的信息,如版权或其他产品信息。例如:Comment:"Copyright (c) 2005 Artisan Components, Inc. All Rights Reserved.”
·定义单位属性（unit attribute）：
Design Compiler工具本身是没有单位的。然而在建立工艺库和产生报告时，必须要有单位。库中有6个库级属性定义单位:time_ unit(时间单位)、voltage_unit(电压单位)、current_ unit(电流单位)、pulling_resistance_unit(上/下拉电阻单位)、capacitive_load_unit(电容负载单位)、leakage_power_unit(漏电功耗单位)。
单位属性确定测量的单位，例如可在库中用毫微秒(nanoseconds)或皮法拉(picofar-ads)作为时间和电容负载的单位。
注：关于面积的单位，前面已经说了，这里不再详述。
B接下来是环境描述：
主要包括操作条件（operation conditions）、临界条件定义（threshold definitions）、默认的一些环境属性（default attributes）、一些（时序、功耗）模型（templates）、比例缩放因子（k-factors）、I/O pad属性（pad attributes）、线负载模型（wire-loads）。
·操作条件（operation conditions）：
在工艺库中，用操作条件设置了制程（process）、温度（temperature）、电压（voltage）与RC树模型（tree_type）。
在综合和静态时序分析时，DC要用到这些信息来计算电路的延迟，而库中的这组操作条件为基础（也就是nom_xxxx）操作条件。一个工艺库只有这么一组基础的操作条件，如果要使用不同的操作条件，则需要借助K参数了（见后面）。制程、温度、电压这些很好理解，下面主要说一下这个RC树模型（tree_type）。
tree-type属性定义了布局之前延时的计算方式。此外，线负载模型（后面有讲）是根据连线的扇出来估算连线的RC寄生参数的，RC如何分配就是根据这个tree-type属性来的。
连线延时（从驱动引脚的状态变化到每个接受单元输入引脚的状态变化，线负载模型设每个分枝的延迟是一样的。）的一个示例如下图所示：
在这个简单的电路中，BUF1的输出驱动两个单元:BUF2与BUF3。在物理上，这是两根连线。而在网表中，两根连线用一个net来表示。
在布局前，假设这两根线有相同的寄生电阻与寄生电容，即Cwire1-Cwire2=R1-R2 。
假设我们想了解从BUF1的输出到BUF2的输入端的延时。这个延时实际上是给连线及BUF2的输入引脚负载进行充、放电所消耗的时间。
如何计算这个延时呢?tree-type就是为此而定义的。Tree-type有三种取值，这个延时就有三种计算模型，这三种模型有两种理解方式，这两种理解方式是等价的。
第一种理解方式的三种模型：
A:当它取值为worst-case-tree时，连线的寄生参数采用集总模型，即用Cwire*(Cwire 1+Cwire2)这个乘积表示连线的等效电容，Rwire（R1+R2）表示连线的等效电阻。C1表示BUF1输入引脚的等效电容。C2表示BUF2输入引脚的等效电容。从BUF 1到BUF2的延时计算模型下图所示：
在这种模型中，net本身的延迟为Rwire*Cwire .
B:当tree-type取值为best-case-tree时，计算延时的RC模型如下图所示：
在这种模型中，Rwire为0，因此net本身的延时为0
C：当tree-type取值为balanced-tree时，计算延时的RC模型如下图所示：
在这种模型中，net的延时为Rwire*Cwire/(N^2)。这里N表示负载数目，本例中取值为2.
第二种理解方式的三种模型：
无论是从哪一种方式理解，这个库中使用的是平衡树的模型。
·临界条件定义（threshold definitions）：
主要是定义一些极限值，比如时钟抖动的最大最小值、输出输出的上升下降沿的最大最小值等等信息，如下图所示：
·默认的一些环境属性（default attributes）：
主要是默认漏电流功耗密度、标准单元的漏电流功耗、扇出负载最大值、输出引脚的电容、IO类型的端口电容、输入引脚的电容、最大转换时间。
·一些（时序、功耗）模型（templates）：
都是写查找表模型，主要是功耗（比如输入转移时间的功耗）、时序（比如输入线转换的延时、建立时间和保持时间的延时）等等，根据不同的操作环境，进行查表进行选择对应的参数。
·比例缩放因子（k-factors）：
由于一般库中只有单元“nom_xxx”的值，为了计算不同的制程、电压和温度下单元的延迟（或者说是计算不同的操作条件），库中提供了比例缩放因子：
比例因子有许多，这里只是列举了这几个。
根据提供的K参数，DC按下面的公式计算不同的制程，电压和温度的单元延迟：
Delay derated = (nominal delay)*（1+(DP*KfactorP))*(1+(DV*KfactorV))*(1+(DT*KfactorT))
其中:
delta = current-nominal ;
DP = CP-NP,CP为current process,NP为nominal process;
DV=CV-NV,CV为current voltage,NP为nominal voltage;
DT=CT-NT,CT为current temperature,NT为nominal temperature.
KfactorP、KfactorV、KfactorT分别是对于的K参数，表示制程、电压、温度对延时的影响。
·I/Opad属性（pad attributes）：
主要就是定义I/O引脚的电平属性，告诉你输入是COMS还是TTL，什么时候达到高电平、什么时候是低电平。
·线负载模型（wire-loads）：
工艺库的线负载模型如下所示：
DC采用wire-load模型在布局前预估连线的延时。通常，在工艺库中，根据不同的芯片面积给出了几种模型（上图所示）。这些模型定义了电容、电阻与面积因子。此外，导线负载模型还设置了slope与fanout_length，fanout-length设置了与扇出数相关的导线的长度。
有时候，除了扇出与长度，该属性还包括其他参数的值（这个工艺库没有），例如average_capacitance、standard_deviation与number_of_nets，在DC产生导线负载模型时会自动写出这些值。对于超过fanout-length属性的节点，可将该导线分成斜率不同的几段，以确定它的值。
C工艺库剩下的全是标准单元（cell）的描述：如反相器、触发器、与非门、或非门的描述等：
·标准单元内容概述
综合库中的每个单元都包括一系列的属性，以描述功能、时序与其他的信息。 在单元的引脚描述中，包含了如下内容：输入引脚的fanout-load属性、输出引脚的max_fanout属性、输入或输出引脚的max_transition属性、输出或者inout引脚的max_capacitance属性。利用这些描述，可以对设计进行DRC(设计规则检查)。如果某个单元的输出最大只能接0.2pF的负载，但在实际综合的网表中却连接了0.3pF的负载，这时候综合工具就会报出DRC错误。
通常，fanout_load与max_fanout一起使用max_transition与max_capacitance一起使用。 如果一个节点的扇出为4，它驱动3个与非门，每个与非门的fanout-load是2，则这三个与非门无法被驱动(因为3*2>4)。
max_transition通常用于单元的输入引脚，max_capacitance一般用于单元的输出引脚。如果任何节点的transition时间大于引脚的max_transition值，则该节点不能连接。如果发生违例，则DC用一个具有更大max_capacitance值的单元来取代驱动单元。
在对输出引脚的描述中，给出了该引脚的功能定义，以及与输入弓}脚相关的延时。输入引脚定义了它的引脚电容与方向。这个电容值不能与max_capacitance值相混。DC利用输入引脚的电容值进行延时计算，而max_capacitance仅用来进行设计规则检查。
对于时序元件中的时钟引脚，专门用clock类型进行说明，如下所示:
注:许多设计者都会抱怨工艺库中对单元的DRC属性设置不当，这是由于库的能力是有限的所致。对于一个设计，综合库的DRC设置可能很合适，而对于另一个设计就可能不太合适。这时候，需要设计者对综合库进行“剪裁”。当然，这种“剪裁”必须比库中的定义更为严格。如将一个库中buffd0的Z端的max_fanout由4.0改为2.0的命令：
dc_shell> set_addribute find(pin, ex25/BUFFDO/Z) max_fanout 2.0
上述的命令可以写在synopsys-dc.setup文件中。
(单元的延时)
在一个单元的综合库中，最核心的是对时序和功耗的描述。一个单元的延时跟以下因素有关:
器件内部固有的延时、输入转换时间(也称为输入上升/下降时间)、负载(驱动的负载及连线)、温度、电压、制程变化。
前三个因素是由电路本身的特性所决定的，后三个因素是由环境决定的。在实际电路中，输入转换时间、负载与连接单元的电路有关，所以我们只需要列出在不同的输入转换时间、不同的负载下单元的延时就可以了。这个延时包括器件的内部固有延时。此外，利用前面提到K缩放因子，将温度、电压、制程的影响也考虑进来。如下面的这个反相器单元，它的延时就可以通过输入转换时间和负载决定：
说到单元的延时，不得不说计算单元延时的模型。
Synopsys支持的延时模型包括:CMOS通用延时模型、CMOS分段线性延时模型和CMOS非线性延时查找表模型（Nonlinear Delay Model）。前两种模型精度较差，已经被淘汰，主要用非线性延时模型。下面进行解释非线性延时模型。
非线性延时模型也称为二维非线性延时模型。在该模型中，用二维列表的形式给出单元在特定的输入转换时间、输出负载下的延迟（包括单元的延时和单元的输出转换时间）：
单元的输出转换时间又成为其驱动的下级单入的输ru转换时间。库中每个单元有两个NLDM表。上面的图中，当输出负载和输入转换时间为0.05 pF和0.5 ns时，从表中可查出单元的延迟为0.23 ns，输出转换时间为0.30 ns 。
对于在范围之内的点，可以用插值的方法得到;对于在范围之外的点，可以用外推的方法得到。线性插值如下图所示:
计算延时的公式为：
Z=A+BXX+CXY+DXXXY
其中，Z代表单元的延时，A, B, C, D是系数，X为输出节点电容，Y为输入转换时间。
输入的上升、下降时间是由上一级输出的上升、下降时间得到的。输出节点的电容可以由负载的输入引脚电容及连线负载计算得到。在综合时，使用导线负载表可以预测导线负载。导线负载模型在综合库中进行了定义。当然，用户也可以自己生成连线负载模型。该模型也是用查找表的方式，列出在不同负载下的平均连线延迟。在布局之后，可以得到更为精确的导线长度。在布线后，可以得到最确切的导线长度。可以用该导线负载来计算最终的延时，以便进行静态时序分析与时序计算。
使用线性插值的举例：一个标准单元的延迟查找表如下图所示：
在查找表中，根据不同的输入转换时间和输出节点电容，列出了标准单元的延时。例如，当输入节点的转换时间为0.1 ns，输出负载为0.01pF时，单元的延时为0.17 ns。如果单元的输入转换时间为0.2 ns，输出节点电容为0.002 pF，则从表中无法直接查找到延时，需要通过线性插值的方法来求得该值：
计算延时的第一步，是求出延时公式中的系数A, B, C, D，然后根据实际的输入转换时间和输出电容求出实际的延时。
假设该单元的输入转换时间为0.2(位于查找表的第1列与第2列之间)，输出节点电容为0.003(位于查找表的第1行与第2行之间)，这样，我们将查找表中的相应的4值代入延时公式，可得：
0 .080=A+B*0.1 +C *0.001 +D*0.1*0.001;
0 .130=A+B * 0 .5+C * 0.001 +D*0.5*0.001;
0 .170=A+B * 0 .1+C*0.01 +D*0.1*0 .01
0 .220=A+B * 0.5+C*0.01 +D*0.5*0.01
求解这4个等式，可得 A=0 .057 52，B=0 .1248，C=9 .9998，D=0 .2。
接下来，我们将实际的节点电容、输入转换时间代入延时公式，可以得到这种情形下该单元的实际延时为：
Z=0 .5752+0.1248X0.003+9.9998 X 0.2+0.2X0.2X0.003 (ns)
单位为ns,输出转换时间、短路功耗的计算与此类似。
说明:利用DC中的report_power_calculation命令，可以显示出某一节点处energy的具体求解过程;利用DC中的report_delay_calculation命令，可以显示出某一节点处延迟或输出转换时间的具体求解过程。
前面对标准单元库的内容和结构有了一个概述，下面对一个反相器单元和一个寄存器单元进行详细解说。
·反相器的综合模型
综合库中主要给出了各端口的功能、电容、功耗及延时等信息（不同的库模型信息种类可能不一样）。反相器的功耗主要分为两部分：静态功耗和动态功耗。 其中静态功耗是指泄漏功耗，动态功耗包括翻转时的短路功耗及节点电容的充放电所消耗的功耗。节点电容充放电消耗的功耗仅跟VDD、节点翻转率及节点电容有关。其中，VDD和节点电容是固定的，节点翻转率跟输入激励有关，需要通过仿真激励进行计算。因此，在综合库中，不列出充放电功耗。而短路功耗跟输入转换时间和节点电容有关，一般以查找表的形式给出（在综合库中，用internal_power表示）。
具体的反相器的综合模型如下所示：
当然，上面看到的只是部分内容，有些内容折叠起来了比如输入引脚的等效负载、输出引脚的短路功耗等被折叠起来了，下面进行讲解:
引脚A表示反相器的输入（上图），展开后可以看到输入的引脚的等效负载，也就是等效电容的大小。
输出管脚Y有：
里面主要包含了引脚的功能（function）、短路功耗（internal_power）、时序信息（timing）、输出的最大负载（max_capacitance）等信息。
短路功耗信息（internal_power）：
展开短路信息如下图所示：
短路功耗与A管脚相关联，也就是与A管脚有关系。
rise_power给出了Y从低到高时的短路功耗，功耗跟输入信号的转换时间（index_1）及节点电容（index_2）有关；根据不同的信息进行查表，表的值就是（value），7X7表示index_1是7，index_2也是7，因此value是7X7=49,如下图所示：
也给出了从高到低的短路功耗（fall_power）,功耗跟输入信号的转换时间及节点电容有关；具体内容类似从低到高时的短路功耗，不再详述。
时序信息（timing）：
主要包括相关引脚、时序敏感类型、单元延时、转换时间等。
Cell_rise 给出了Y从低到高时单元的延时，延时跟输入转换时间和节点电容有关：
Rise_transition给出Y从低到高时输出的延时(transtion)，跟输入转换时间和节点电容有关:
Cell_fall、fall_transition：则是对应Y从高到低时的单元延时和输出延时，也是跟输入转换时间和节点电容有关。
cell_leakage_power：单元的泄漏功耗
有时候，也给出在不同条件时的泄漏功耗（也就是查表的方式）：
反相器作为组合逻辑最简单、最经典的模型，其综合库的模型内容就如上所示了，下面介绍时序逻辑的。
·寄存器单元的综合模型
寄存单元综合库模型主要包括以下内容：
· 单元面积；
·D端短路功耗；
·D端的建立时间约束和保持时间约束；
· 时钟引脚上的短路功耗；
· 时钟引脚上的最小脉宽要求；
· 输出端的短路功耗；
· 输出端的延时；
· 输出端的最大负载约束；
· 单元的泄漏功耗。
其综合库内容如下所示：
上面综合库的具体内容下面进行具体叙述：
D端口（引脚）：
输入端口，主要包含输入的等效负载、短路功耗、时序信息。
internal_power，D端消耗的短路功耗：
rise_power给出D端由低电平变到高电平时的短路功耗，跟输入转换时间有关，电容为定值：
fall-power则给出D端由高电平变到低电平时的短路功耗，跟输入转换时间有关，电容为定值。
Timing，时序信息：
D的时序信息与“CK”端口有关，Setup_rising表明是setup（建立时间）的时序信息。
rise-constraint：给出D端由低电平变到高电平时的setup约束，跟D端输入转换时间和时钟的转换时间有关：
fall-constraint则给出D端由高电平变到低电平时的setup约束，跟输入转换时间和时钟的转换时间有关。
前面我们看到，有两个timing，一个既然是建立时间了，那么另外一个就是保持时间了：
rise-constraint：给出D端由低电平变到高电平时的hold约束，跟输入转换时间和时钟的转换时间有关：
fall-constraint：给出D端由高电平变到低电平时的hold约束，跟输入转换时间和时钟的转换时间有关。
CK端口：
这个是时钟端口，主要给出了输入的负载、最大转换时间约束、短路电流、高低电平的最小脉宽要求，如下图所示。
Internal_power,短路功耗：
也是分为CK上升时跟下降时的短路功耗，与D端有关。
min_pulse_width_high、min_pulse_width_low ：给出了时钟高低电平的最小脉宽要求。
ff:描述寄存器的功能。
Q端口：
主要描述Q的功能，短路功耗，时序信息，输出最大的负载电容。
Internal_power，短路功耗：
rise_power给出了输出端由低电平变到高电平时的短路功耗，跟输入转换时间、Q端负载及QN端负载有关：
fall_power则输出端由高电平变到低电平时的短路功耗，跟输入转换时间、Q端负载及QN端负载有关。
Timing，时序信息：
说明Q端口与CK的上升沿有关。
cell-rise给出Q端由低电平变到高电平时CK到Q的延时，跟输入转换时间和输出节点电容有关：
rise-transitio给出了Q端由低电平变到高电平时Q端转换时间，跟输入转换时间和输出节点电容有关：
cell-fall给出了Q端由高电平变到低电平时CK到Q的延时，跟输入转换时间和输出节点电容有关；
fall-transition给出了Q端由高电平变到低电平时Q端转换时间，跟输入转换时间和输出节点电容有关。
max_capacitance，则是最大输出负载电容约束。
QN管脚，跟Q管脚类似，不进行陈述了。
cell_leakage_power给出了默认单元漏电流大小。而下面的不同漏电流，则是根据端口信号处在不同状态时的漏电流大小：
注：对于有复位信号的寄存器，还有可能有下面的信息：
· 复位引脚上的短路功耗；
· 复位引脚上的最小脉宽要求；
· 复位引脚上的recovery/removal时序约束；
· 输出端的输出转换时间（相对于时钟）；
· 输出端的输出转换时间（相对于异步复位信号）；
· 输出端的延时（相对于异步复位信号）；
（2）DC的设计对象
在了解了综合库之后，下面介绍一下DC的设计对象，虽然这个设计对象相对于综合库没有那么重要，但是还是要了解一下的。
对于一个verilog代码模块，我们知道这是一个模块的名字是什么，这个模块的功能是什么，这个模块有哪些端口等等信息。但是对于DC来说，它不想我们那么理解，给它一个verilog模块，它把这个模块的内容当做设计对象（简称对象）来看。DC支持的对象和解释如下所示：
DC支持8中设计对象：
Design :具有某种或多种逻辑功能的电路描述；
Cell ：设计的 instance；
Reference :cell 或 instance 在库中定义的名字；
Port :design 的输入、输出；
Pin :design 中 cell 的输入、输出；
Net :ports 和 pins 之间或 pins 之间的信号名；
Clock :被定义为时钟源的 pin 或 port；
Library :cell 的集合，如： starget_library,link_library；
在DC读入设计时候，可以通过下面命令查看这些对象：
Query：访问某一个对象，
Sizeof:查某一个（对象）集合的大小。
对象具有某些属性，比如：
端口（port）的属性有：方向、驱动单元、负载、最大电容约束等等
单元（cell）的属性有：层次化、不触碰 等待；
时钟的属性有：周期、抖动等；
写约束，就是通过对设计对象的属性进行约束，至于要约束什么，怎么约束，在后面进行介绍。
（3）Design Ware 库
DesignWare是Synopsys提供的知识产权(Intellectual Property，简称IP)库。IP库分成可综合IP库(synthesizable IP，SIP) ,验证IP库(Verification IP，VIP)和生产厂家库(foundry 1ibraries)。IP库中包含了各种不同类型的器件。这些器件可以用来设计和验证ASIC, SoC和FPGA。库中有如下的器件:
·积木块(Building Block)IP(数据通路、数据完整性、DSP和测试电路等等)。
·AMBA总线构造(Bus Fabric)、外围设备(Peripherals)和相应的验证IP。
·内存包(Memory portfolio)(内存控制器、内存BIST和内存模型等等)。
·通用总线和标准I/O接口(PCI Express,PCI-X,PCI和USB)的验证模型。
·由工业界最主要的明星IP供应商提供的微处理器(Microprocessor)和DSP核心。
·生产厂家库(Foundry Libraries)。
·板级验证IP<Board verification IP)。
·微控制器(Microcontrollers，如8051和6811)。
·等等
这里主要介绍集成在DC综合工具中的designware foundation库。所有的IP都是事先验证过的、可重复使用的、参数化的、可综合的，并且不受工艺的约束。
常用的designware foundation库单元如下所示：
使用IP库中的器件，可以用运算符号推论法(Operator Inferencing)或功能推论法(Functional Inferencing)。运算符号推论法是直接在设计中使用“+、一、*、>、一和<”等的运算符号。功能推论法是在设计中例化(instantiate) DesignWare中某种算术单元，例如直接指定用库中的DWF_ mult_ tc,DWF_ div_ uns和DWF_sqrt_tc单元。
由于DesignWare库中的所有器件都是事先验证过的，使用该IP库我们可以设计得更快，设计的质量更高，增加设计的生产力和设计的可重复使用性，减少设计的风险和技术的风险。对于每个运算符号，一般地说DesignWare库中会有多个结构(算法)来完成该运算。这样就允许DC在优化过程中评估速度/面积的折衷，选择最好的实现结果。对于一个给定的功能，如果有多个DesignWare的电路可以实现它，Design Compiler将会选择能最好满足设计约束的电路。此外使用DesignWare中的DW Foundation库是需要许可证的(license) ， DW Foundation库提供了更好的设计质量(Quality of Result)。
使用DesignWare中IP的方法如下图所示：
Design Compile自动选择和优化算术器件。对于算术运算，我们并不需要在DC中指定标准的(基本的)综合库standard.sldb。标准的综合库standard.sldb包含内置的HDL运算符号，综合时DC会自动使用这个库。如果我们要使用性能更高的额外的IP库，例如DW_ foundation.sldb，我们必须指定这些库，如下所示：
#Specify for use during optimization
set synthetic_library dw_foundation.sldb
#Specify for cell resolution during link
lappend link_library $synthetic_library
本文的总结主要参考了《专用集成电路设计使用教程》、《数字IC系统设计》，局部图片来自这两本书。