文件名称：多晶硅太阳电池的氮化硅薄膜性能研究 (2005年)
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更新时间：2024-06-12 04:17:48
自然科学 论文
用等离子体化学气相沉积(PECVD)法,通过改变[SiH4:N2] / [NH2]的流量比沉积SiN薄膜。用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD),X射线光电子能谱(XPS ),红外吸收光谱(IR),反射谱,测试氮化硅薄膜的厚度、折射率、少子寿命、SUN.氢含量、反射率。研究了多晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的性能,结果发现:沉积温度350℃,沉积时间5 min,[SiH4：N2]／[NH2]＝4:1时,沉积氮化硅硅片寿命高、氢含量高钝化效果好、反射率低。